DI200N10D2
Numéro de pièce :
DI200N10D2
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Diotec Semiconductor
Description :
IC
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Non
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- Tension drain-source (Vdss) 100 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(e) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Colis/Caisse TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Package d'appareil du fournisseur TO-263AB (D2PAK)
- Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 262 nC @ 10 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 120A, 10V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16800 pF @ 50 V