BSC152N15LS5ATMA1
Numéro de pièce :
BSC152N15LS5ATMA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
TRENCH >=100V
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Colis/Caisse 8-PowerTDFN
- Tension drain-source (Vdss) 150 V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
- Package d'appareil du fournisseur PG-TDSON-8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Ta), 55A (Tc)
- Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.2mOhm @ 29A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 2.3V @ 60µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 75 V