BSC105N15LS5ATMA1
Numéro de pièce :
BSC105N15LS5ATMA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
TRENCH >=100V
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Colis/Caisse 8-PowerTDFN
- Tension drain-source (Vdss) 150 V
- Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
- Package d'appareil du fournisseur PG-TDSON-8
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A (Ta), 76A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 40A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 2.3V @ 91µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 75 V