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TP44200SG
부품 번호：
TP44200SG
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Tagore Technology
설명：
GAN FET HEMT 650V .236OHM 22QFN
포장：
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
None
화폐：
USD
PDF:
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재고 4583
최소 : 0
수량
단가
가격
3000
1.85
5550
사양
  • 패키지/케이스
    22-PowerVFQFN
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • GaNFET (Gallium Nitride)
  • N-Channel
  • 10A (Tc)
  • 236mOhm @ 500mA, 6V
  • Vgs(일)(최대) @ Id
    2.5V @ 5.5mA
  • 공급자 장치 패키지
    22-QFN (5x7)
  • 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
    0V, 6V
  • Vgs(최대)
    ±20V
  • 드레인-소스 전압(Vdss)
    650 V
  • 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
    1.5 nC @ 6 V
  • 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
    55 pF @ 400 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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