GA05JT12-263
부품 번호:
GA05JT12-263
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
GeneSiC Semiconductor
설명:
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
패키징:
-
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- 작동 온도 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 드레인-소스 전압(Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
- 공급자 장치 패키지 TO-263-7
- 패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 106W (Tc)