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IMZA75R090M1HXKSA1
部品番号：
IMZA75R090M1HXKSA1
製品分類：
ディスクリート半導体製品
製造元：
IR (Infineon Technologies)
説明：
SILICON CARBIDE MOSFET
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1828
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数量
単価
価格
1
8.89
8.89
10
8.03
80.3
30
7.66
229.8
120
6.65
798
270
6.35
1714.5
510
5.79
2952.9
1020
5.04
5140.8
仕様
  • パッケージ・ケース
    TO-247-4
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • N-Channel
  • 23A (Tj)
  • 83mOhm @ 7.4A, 20V
  • 113W (Tc)
  • Vgs(th) (最大) @ ID
    5.6V @ 2.6mA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO247-4
  • 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
    15V, 20V
  • Vgs (最大)
    +23V, -5V
  • ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
    750 V
  • ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
    15 nC @ 18 V
  • 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
    542 pF @ 500 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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