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IMW65R007M2HXKSA1
部品番号：
IMW65R007M2HXKSA1
製品分類：
ディスクリート半導体製品
製造元：
IR (Infineon Technologies)
説明：
SILICON CARBIDE MOSFET
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1600
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数量
単価
価格
1
41.49
41.49
10
38.71
387.1
30
37.09
1112.7
120
33.61
4033.2
270
32.45
8761.5
仕様
  • パッケージ・ケース
    TO-247-3
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • N-Channel
  • 171A (Tc)
  • 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
  • 625W (Tc)
  • Vgs(th) (最大) @ ID
    5.6V @ 29.7mA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO247-3-U06
  • 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
    15V, 20V
  • Vgs (最大)
    +23V, -7V
  • ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
    650 V
  • ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
    179 nC @ 18 V
  • 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
    6359 pF @ 400 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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