GA03JT12-247
部品番号：
GA03JT12-247
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
GeneSiC Semiconductor
説明：
TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
パッケージ：
-
ROHS状態：
いいえ
通貨：
USD
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- 動作温度 175°C (TJ)
- パッケージ・ケース TO-247-3
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc) (95°C)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 3A
- Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AB