BSB056N10NN3GXUMA2
部品番号：
BSB056N10NN3GXUMA2
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
TRENCH >=100V
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 取付タイプ Surface Mount
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 6V, 10V
- Vgs (最大) ±20V
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 100 V
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 74 nC @ 10 V
- Vgs(th) (最大) @ ID 3.5V @ 100µA
- Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 83A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 5500 pF @ 50 V
- サプライヤーデバイスパッケージ MG-WDSON-5-3
- パッケージ・ケース DirectFET™ Isometric MN