TK042N65Z5,S1F(S
Numéro de pièce :
TK042N65Z5,S1F(S
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description :
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Tension drain-source (Vdss) 650 V
- Colis/Caisse TO-247-3
- Température de fonctionnement 150°C
- Package d'appareil du fournisseur TO-247
- Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4.5V @ 2.85mA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6280 pF @ 300 V