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TP65H050WS
Numéro de pièce：
TP65H050WS
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Transphorm
Description：
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
17.67
17.67
30
14.3
429
120
13.46
1615.2
510
12.2
6222
Spécifications
  • Colis/Caisse
    TO-247-3
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • N-Channel
  • 34A (Tc)
  • 60mOhm @ 22A, 10V
  • 119W (Tc)
  • Vgs(e) (Max) @ Id
    4.8V @ 700µA
  • Package d'appareil du fournisseur
    TO-247-3
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650 V
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1000 pF @ 400 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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