SCT025W120G3-4AG
Numéro de pièce :
SCT025W120G3-4AG
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
STMicroelectronics
Description :
TO247-4
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Grade Automotive
- FET Type N-Channel
- Qualification AEC-Q101
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Package d'appareil du fournisseur TO-247-4
- Colis/Caisse TO-247-4
- Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 25A, 18V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4.2V @ 5mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 18 V
- Vgs (Max) +18V, -5V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 800 V
- Power Dissipation (Max) 388W (Tc)