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QS1200SCM36
Numéro de pièce:
QS1200SCM36
Classification des produits:
Fabricant:
Description:
1200V 36AMP SiC Mosfet
Emballage:
Statut ROHS:
Yes
La monnaie:
USD
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Quantité
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Prix
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Spécifications
  • Colis/Caisse
    TO-247-3
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C
  • SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • N-Channel
  • 36A
  • 100mOhm @ 20A, 20V
  • 198W
  • Vgs(e) (Max) @ Id
    3.8V @ 100µA
  • Package d'appareil du fournisseur
    PG-TO247-3
  • Grade
    Automotive
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
    2.8V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1200 V
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 600 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1001 pF @ 800 V