IV1Q12160T4
Numéro de pièce :
IV1Q12160T4
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Inventchip Technology
Description :
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Emballage :
-
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Package d'appareil du fournisseur TO-247-4
- Colis/Caisse TO-247-4
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 10A, 20V
- Vgs(e) (Max) @ Id 2.9V @ 1.9mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 20 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 885 pF @ 800 V
- Power Dissipation (Max) 138W (Tc)