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IPB70N10S3L12ATMA2
Numéro de pièce：
IPB70N10S3L12ATMA2
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
IR (Infineon Technologies)
Description：
MOSFET_(75V 120V(
Emballage：
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
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Prix
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Spécifications
  • Colis/Caisse
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 70A (Tc)
  • 12.1mOhm @ 70A, 10V
  • 125W (Tc)
  • Vgs(e) (Max) @ Id
    2.4V @ 83µA
  • Package d'appareil du fournisseur
    PG-TO263-3-2
  • Grade
    Automotive
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100 V
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5570 pF @ 25 V
  • Qualification
    AEC-Q101
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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