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IMZA65R007M2HXKSA1
Numéro de pièce：
IMZA65R007M2HXKSA1
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
IR (Infineon Technologies)
Description：
SILICON CARBIDE MOSFET
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
41.97
41.97
10
39.16
391.6
30
37.51
1125.3
120
34
4080
270
32.82
8861.4
Spécifications
  • Colis/Caisse
    TO-247-4
  • Type de montage
    Through Hole
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 210A (Tc)
  • 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
  • 625W (Tc)
  • Vgs(e) (Max) @ Id
    5.6V @ 29.7mA
  • Package d'appareil du fournisseur
    PG-TO247-4-U02
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 20V
  • Vgs (Max)
    +23V, -7V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650 V
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
    179 nC @ 18 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    6359 pF @ 400 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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