GA10JT12-263
Numéro de pièce :
GA10JT12-263
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
Description :
TRANS SJT 1200V 25A
Emballage :
-
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1403 pF @ 800 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 10A