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FBG20N04ASH
Numéro de pièce：
FBG20N04ASH
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
EPC Space
Description：
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Emballage：
Bulk
Statut ROHS：
None
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
392.75
392.75
10
377.99
3779.9
Spécifications
  • Colis/Caisse
    4-SMD, No Lead
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • GaNFET (Gallium Nitride)
  • N-Channel
  • 4A (Tc)
  • 130mOhm @ 4A, 5V
  • Vgs(e) (Max) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • Package d'appareil du fournisseur
    4-SMD
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Tension drain-source (Vdss)
    200 V
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
    3 nC @ 5 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 100 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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