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Especificaciones
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Paquete / Estuche
TO-247-3
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Tipo de montaje
Through Hole
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Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
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SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
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N-Channel
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40A (Tc)
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54mOhm @ 16A, 18V
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312W (Tc)
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.2V @ 5mA
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Paquete de dispositivo del proveedor
HiP247™
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Calificación
Automotive
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Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
15V, 18V
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Vgs (máx.)
+22V, -10V
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Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200 V
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Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 18 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1329 pF @ 800 V
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Calificación
AEC-Q101