Colección Comparación
RM12N650T2
Número de pieza：
RM12N650T2
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Rectron USA
Descripción：
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
Embalaje：
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
Comprar de inmediato Añadir al carrito de la compra
Inventario 3600
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
1.45
1.45
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-220-3
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 11.5A (Tc)
  • 360mOhm @ 7A, 10V
  • 101W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    4V @ 250µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-220-3
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    10V
  • Vgs (máx.)
    ±30V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    650 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    870 pF @ 50 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Cantidad: {{ val.quantity }}

Presentación

Está vacío.