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Especificaciones
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Paquete / Estuche
TO-247-3
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Tipo de montaje
Through Hole
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Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C
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SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
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N-Channel
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8A
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100mOhm @ 2A, 20V
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88W
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 10mA
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Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO247-3
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Calificación
Automotive
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Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2V, 4V
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Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1700 V
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Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 1200 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
142 pF @ 1000 V