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Especificaciones
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Paquete / Estuche
TO-247-3
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Tipo de montaje
Through Hole
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Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C
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SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
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N-Channel
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36A
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100mOhm @ 20A, 20V
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198W
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.8V @ 100µA
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Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO247-3
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Calificación
Automotive
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Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.8V
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Vgs (máx.)
+25V, -10V
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Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200 V
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Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 600 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1001 pF @ 800 V