Colección Comparación
IRF610
Número de pieza：
IRF610
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Embalaje：
Estado del RoHS：
None
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-220-3
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 3.3A (Tc)
  • 1.5Ohm @ 2A, 10V
  • 36W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    4V @ 250µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-220AB
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    10V
  • Vgs (máx.)
    ±20V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    200 V
  • Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    140 pF @ 25 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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Presentación

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