Colección Comparación
IPD70N10S312ATMA2
Número de pieza：
IPD70N10S312ATMA2
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Descripción：
MOSFET_(75V 120V(
Embalaje：
Tape & Reel (TR)
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
2500
1.1
2750
5000
1.05
5250
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 70A (Tc)
  • 11.1mOhm @ 70A, 10V
  • 125W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    4V @ 83µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    PG-TO252-3-11
  • Calificación
    Automotive
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    10V
  • Vgs (máx.)
    ±20V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    100 V
  • Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
    65 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4355 pF @ 25 V
  • Calificación
    AEC-Q101
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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