Colección Comparación
IPD50N10S3L16ATMA2
Número de pieza：
IPD50N10S3L16ATMA2
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Descripción：
MOSFET_(75V 120V(
Embalaje：
Tape & Reel (TR)
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
Comprar de inmediato Añadir al carrito de la compra
Inventario 1600
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
2500
0.9
2250
5000
0.87
4350
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 50A (Tc)
  • 15mOhm @ 50A, 10V
  • 100W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    2.4V @ 60µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    PG-TO252-3-11
  • Calificación
    Automotive
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    4.5V, 10V
  • Vgs (máx.)
    ±20V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    100 V
  • Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4180 pF @ 25 V
  • Calificación
    AEC-Q101
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Cantidad: {{ val.quantity }}

Presentación

Está vacío.