Colección Comparación
ICE20N60B
Número de pieza：
ICE20N60B
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
IceMOS Technology
Descripción：
Superjunction MOSFET
Embalaje：
Estado del RoHS：
None
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 7200
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
2.46
2.46
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 20A (Tc)
  • 190mOhm @ 10A, 10V
  • 236W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    3.9V @ 250µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-263
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    10V
  • Vgs (máx.)
    ±20V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    600 V
  • Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
    59 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2064 pF @ 25 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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