Colección Comparación
GT110N06S
Número de pieza：
GT110N06S
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
Goford Semiconductor
Descripción：
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Embalaje：
Tape & Reel (TR)
Estado del RoHS：
None
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 6628
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
4000
0.28
1120
8000
0.26
2080
12000
0.24
2880
28000
0.24
6720
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 14A (Tc)
  • 11mOhm @ 14A, 10V
  • 3W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    2.4V @ 250µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    8-SOP
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    4.5V, 10V
  • Vgs (máx.)
    ±20V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    60 V
  • Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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