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Especificaciones
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Paquete / Estuche
TO-247-3
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Tipo de montaje
Through Hole
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Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
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SiCFET (Silicon Carbide)
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N-Channel
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19A (Tc)
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196mOhm @ 10A, 20V
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125W (Tc)
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 500µA
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Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
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Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
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Vgs (máx.)
+25V, -10V
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Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200 V
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Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
32.6 nC @ 20 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
527 pF @ 800 V