Colección Comparación
BSB104N08NP3GXUMA1
Número de pieza：
BSB104N08NP3GXUMA1
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Descripción：
TRENCH 40<-<100V
Embalaje：
Tape & Reel (TR)
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
Mínimo : 0
Cantidad
Precio unitario
Precio
5000
0.67
3350
10000
0.64
6400
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    DirectFET™ Isometric MP
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • N-Channel
  • 13A (Ta), 50A (Tc)
  • 10.4mOhm @ 10A, 10V
  • 2.8W (Ta), 42W (Tc)
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id.
    3.5V @ 40µA
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    MG-WDSON-2-6
  • Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
    10V
  • Vgs (máx.)
    ±20V
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
    80 V
  • Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2100 pF @ 40 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Cantidad: {{ val.quantity }}

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