-
- اتصل بنا
QS1700SCM8
رقم الجزء：
QS1700SCM8
تصنيف المنتجات：
صانع：
وصف：
1700v 8AMP SiC Mosfet
التعبئة：
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
جرد
4100
الحد الأدنى :
0
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
12.5
12.5
-
الحزمة / القضيةTO-247-3
-
نوع التركيبThrough Hole
-
درجة حرارة التشغيل-55°C ~ 175°C
-
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
-
N-Channel
-
8A
-
100mOhm @ 2A, 20V
-
88W
-
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف4V @ 10mA
-
حزمة جهاز الموردPG-TO247-3
-
درجةAutomotive
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)2V, 4V
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)1700 V
-
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs16 nC @ 1200 V
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds142 pF @ 1000 V
{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)
{{ val.part_number }}
{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}
الكمية: {{ val.quantity }}
هو فارغ