جمع مقارنة
FBG20N04ASH
رقم الجزء:
FBG20N04ASH
صانع:
وصف:
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
التعبئة:
Bulk
بنفايات الدولة:
None
نقود:
USD
PDF:
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1625
الحد الأدنى : 0
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
392.75
392.75
10
377.99
3779.9
مواصفة
  • الحزمة / القضية
    4-SMD, No Lead
  • نوع التركيب
    Surface Mount
  • درجة حرارة التشغيل
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • GaNFET (Gallium Nitride)
  • N-Channel
  • 4A (Tc)
  • 130mOhm @ 4A, 5V
  • Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
    2.8V @ 1mA
  • حزمة جهاز المورد
    4-SMD
  • جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
    5V
  • في جي إس (الحد الأقصى)
    +6V, -4V
  • استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
    200 V
  • رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
    3 nC @ 5 V
  • سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
    150 pF @ 100 V