جمع مقارنة
BY25Q128ESSIG(T)
رقم الجزء：
BY25Q128ESSIG(T)
تصنيف المنتجات：
الدوائر المتكاملة (ICs)
صانع：
BYTe Semiconductor
وصف：
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
PDF:
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 11100
الحد الأدنى : 0
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
1.43
1.43
10
1.28
12.8
95
1
95
285
0.93
265.05
570
0.82
467.4
1045
0.65
679.25
2565
0.61
1564.65
5035
0.58
2920.3
مواصفة
  • الحزمة / القضية
    8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • نوع التركيب
    Surface Mount
  • حجم الذاكرة
    128Mbit
  • نوع الذاكرة
    Non-Volatile
  • درجة حرارة التشغيل
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 2.7V ~ 3.6V
  • FLASH - NOR (SLC)
  • 120 MHz
  • تنسيق الذاكرة
    FLASH
  • حزمة جهاز المورد
    8-SOP
  • كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة
    60µs, 2.4ms
  • واجهة الذاكرة
    SPI - Quad I/O
  • 7.5 ns
  • 16M x 8
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ