TP65H070G4QS-TR
零件编号：
TP65H070G4QS-TR
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Transphorm
描述：
650 V 29 A GAN FET
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Vgs（最大） ±20V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- Technology GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.8V @ 700µA
- 包装/箱 8-PowerSFN
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
- 供应商设备包 TOLL
- Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 600 pF @ 400 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 8.4 nC @ 10 V