TK042N65Z5,S1F(S
零件编号：
TK042N65Z5,S1F(S
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±30V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 包装/箱 TO-247-3
- 工作温度 150°C
- 供应商设备包 TO-247
- Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 105 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 2.85mA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6280 pF @ 300 V