S2M0120120K
零件编号：
S2M0120120K
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
SMC Diode Solutions
描述：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- FET Type N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 13.3A, 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 3.3mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 29.6 nC @ 20 V
- Vgs（最大） +20V, -5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 652 pF @ 1000 V
- Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
- 供应商设备包 TO-247-4
- 包装/箱 TO-247-4