S2M0080120N
零件编号：
S2M0080120N
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
SMC Diode Solutions
描述：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Chassis Mount
- FET Type N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装/箱 SOT-227-4, miniBLOC
- 供应商设备包 SOT-227
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +20V, -5V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 54 nC @ 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 10mA
- Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1324 pF @ 1000 V