S2M0025120J
零件编号：
S2M0025120J
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
SMC Diode Solutions
描述：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
包装：
Tube
ROHS状态：
No
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +25V, -10V
- 供应商设备包 TO-263-7
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 15mA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tj)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 177 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4150 pF @ 1000 V
- Power Dissipation (Max) 311W (Tc)