QH8KE6TCR
零件编号：
QH8KE6TCR
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
100V 4A, DUAL NCH+NCH, TSMT8
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
No
货币：
USD
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 1mA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- 配置 2 N-Channel
- 供应商设备包 TSMT8
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
- Power - Max 1.1W (Ta)
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 50V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V
- 包装/箱 8-SMD, Flat Leads