NXH004P120M3F2PTNG
零件编号：
NXH004P120M3F2PTNG
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
描述：
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Chassis Mount
- 包装/箱 Module
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 供应商设备包 36-PIM (56.7x62.8)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V @ 120mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 876nC @ 20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16410pF @ 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 338A (Tj)
- Power - Max 1.1kW (Tj)