NXH003P120M3F2PTHG
零件编号：
NXH003P120M3F2PTHG
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
描述：
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Chassis Mount
- 包装/箱 Module
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V @ 160mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1195nC @ 20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20889pF @ 800V
- Power - Max 979W (Tc)
- 供应商设备包 36-PIM (56.7x62.8)