NVBG1000N170M1
零件编号：
NVBG1000N170M1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
描述：
SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 年级 Automotive
- FET Type N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 资质 AEC-Q101
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
- 供应商设备包 D2PAK-7
- 漏源电压 (Vdss) 1700 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 14 nC @ 20 V
- Vgs（最大） +25V, -15V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.3V @ 640µA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 150 pF @ 1000 V