IXFN55N120SK
零件编号：
IXFN55N120SK
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
描述：
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- FET Type N-Channel
- 包装/箱 SOT-227-4, miniBLOC
- 供应商设备包 SOT-227B
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V
- Vgs（最大） +15V, -4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 40A, 15V
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.6V @ 12mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 107 nC @ 15 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3360 pF @ 1000 V