IPP083N10N5XKSA1
零件编号：
IPP083N10N5XKSA1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
TRENCH >=100V
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 37 nC @ 10 V
- 包装/箱 TO-220-3
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 供应商设备包 PG-TO220-3-1
- Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.8V @ 49µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2730 pF @ 50 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 73A, 10V