IPP029N06NXKSA1
零件编号：
IPP029N06NXKSA1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
TRENCH 40<-<100V
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V, 10V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- Vgs（最大） ±20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- 包装/箱 TO-220-3
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 供应商设备包 PG-TO220-3-1
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 66 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.3V @ 75µA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 5125 pF @ 30 V