IPD70N10S312ATMA2
零件编号：
IPD70N10S312ATMA2
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
MOSFET_(75V 120V(
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 年级 Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 资质 AEC-Q101
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 65 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 83µA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4355 pF @ 25 V
- 供应商设备包 PG-TO252-3-11
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 70A, 10V