IMDQ75R016M1HXUMA1
零件编号：
IMDQ75R016M1HXUMA1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 漏源电压 (Vdss) 750 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V, 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 5.6V @ 14.9mA
- Vgs（最大） +23V, -5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2869 pF @ 500 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
- 供应商设备包 PG-HDSOP-22-1
- 包装/箱 22-PowerBSOP Module
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 80 nC @ 18 V
- Power Dissipation (Max) 384W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 41.5A, 20A