IMBG65R007M2HXTMA1
零件编号：
IMBG65R007M2HXTMA1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V, 20V
- 供应商设备包 PG-TO263-7-12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 238A (Tc)
- Vgs（最大） +23V, -7V
- Power Dissipation (Max) 789W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
- Vgs(th)（最大值）@Id 5.6V @ 2.97mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 179 nC @ 18 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6359 pF @ 400 V