HP8KB6TB1
零件编号：
HP8KB6TB1
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
No
货币：
USD
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 1mA
- Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
- 配置 2 N-Channel
- 供应商设备包 8-HSOP
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 20V
- Power - Max 3W (Ta), 21W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta), 24A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.7mOhm @ 10.5A, 10V