DI200N10D2
规格
- 安装类型 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商设备包 TO-263AB (D2PAK)
- Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 262 nC @ 10 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 120A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 16800 pF @ 50 V