DI114N06PQ
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 供应商设备包 8-QFN (5x6)
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 250µA
- Power Dissipation (Max) 63.8W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 114A (Tc)
- 漏源电压 (Vdss) 65 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 78.5 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4130 pF @ 30 V